什么是IGBT？
不熟悉电子功率器件的朋友对于IGBT的了解，更多停留在起名字上，对于其具体的名称，功效等都不甚了解。
所谓的IGBT，即绝缘栅双极型晶体管，是由双极结型晶体三极管和绝缘栅型场效应管所组成一种特殊的晶体管，从这一方面来说，IGBT是个妥妥的强强联手的王者，综合了两者的优势，实现复合全控，电压驱动的功率半导体的器件，且具有自关自断的特征。
简单来说，如果将整个电器类比为一个大学宿舍，每到固定的时间点，就要实行熄灯断电，掌控这一切的便是宿管大妈们。而IGBT在整个电路中所扮演的便是这个宿管大妈的角色，在没有电流通过的情况下，会实行断电。
同时，IGBT没有放大电压的功能，因此在流通时，其充作导线，断开的时候则为开路，且运行的过程中，具有驱动功率小，饱和压较低，高效节能、维修和安装均较为方便，散热稳定等优势特点，受到多个行业的青睐。
自上个世纪80年代以来，世界对IGBT研究也在不断的深入，相应的技术等级也在不断的迭新。
二战后，各国的工业发展正在稳步的恢复。而工程师在实践过程中，发现当前的功率器件已经远远不能满足当前的产业发展的需求。
以50-60年代横行于市场的双极型SCR为例，通态电阻较小，且电流控制的精度不够且耗能较大，难以满足电力装置的需求。
而为了解决电流控制问题，70年代推出名为VD-MOSFET的单极型器件通态电阻过大，虽然可以有效的较小功耗但电路控制过于简单。
时间来到了80年代，双极结型晶体三极管和绝缘栅型场效应管已经相继问世，将二者结合起来，达到电路简单且功耗小，通态电压降低等目标成为了工程师的研究方向。
在这样背景下，第一代的IGBT成功问世。此后，IGBT的发展共历经了六代，其技术也在不断的完善。
从六代的发展方向上看，IGBT已经蜕变出三个主要的方向，一是纵向的结构，二是栅级结构，三是硅片的加工工艺，三大方向的共同目标均是为了降损耗和成本两方面行进。
根据市面上的IGBT种类上看，可以根据不同的工艺进行划分。如从封装工艺上区分，可以分为焊接式和压接式两种。
其中焊接式较为常见于高压的IGBT模块之中。而中低压则以压接式为主，随着发展，也产生了烧结，压力接触等多种新兴技术在中低压的IGBT模块中的应用。
同时，由于芯片的最高工作的结温和功率的密度也在不断上升，IGBT的模块也需要与之相适应。
未来，IGBT模块技术在芯片焊接固定和正面电极联通两个方面不断突破，尽可能实现无焊接、无引线键合，提升IGBT的密度和集成度，以及智能度。
为什么要重视IGBT的研制？
从上述对IGBT的简单说明中，我们可以发现IGBT是一种具有多种优势的电子功率器件。但是如果单纯具有某一方面的优势，并不能成为我国如此关注其研制的原因，更为关键的是其可以解决当前我们在电力装置发展中的瓶颈，实现电力行业的整体的发展。
作为能量转换和传输的核心器件，将它比作电力电子装置的CPU也不为过。传统的转换器，在电流运行运行中，难免会发生一定的损耗。
而采用IGBT进行功率转换的电力装置，可以减少这一损耗，提供输送电力的效率和质量，迎合了当前绿色环保和高效节能的发展趋势和理念，对解决能源短缺问题以及降低碳排放目标的实现具有重要的现实意义。